タイプ別(ディスクリート IGBT、IGBT モジュール)、電力レート別(高電力、中電力、低電力)、アプリケーション別(エネルギーと電力、家庭用電化製品、インバータと UPS、電気自動車)による絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) 市場 - グローバル機会分析と業界予測、2014 ~ 2022 年
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2016
世界 絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) 市場は、2022 年までに 110 億ドルを獲得すると予想されています。IGBT は電力の一種です。電子スイッチ素子として使用される半導体。これは、より高速なスイッチング レートを可能にし、より高い効率を実現する少数キャリア デバイスとしても知られています。これは、より高い電圧と電流に対応する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) を置き換える、コスト効率の高いソリューションです。これにより、産業システム、家庭用電化製品、電気自動車などのさまざまなアプリケーションでの省エネルギーを強化する電源管理が可能になります。さらに、MOSFET とバイポーラ接合トランジスタ (BJT) をモノリシック形式で組み合わせたものです。現在、再生可能資源や電気自動車でスイッチング速度を向上させ、電力損失を防ぐために使用されています。
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需要の増加電気自動車向けの需要と高電圧動作デバイスのニーズの高まりにより、エネルギーと電力、自動車、家庭用電化製品、および産業における IGBT の採用が増加しています。したがって、世界の IGBT 市場は、高速スイッチング レートと最適化された電力損失により、近い将来緩やかな成長を遂げると予想されます。しかし、高温での漏れ電流は市場の成長を妨げます。高電圧直流 (HVDC) と電力通信に IGBT を利用したスマート グリッドを確立するという政府の積極的な取り組みは、市場に有利な機会を提供するでしょう。
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セグメントの概要
世界の IGBT 市場は、タイプ、定格電力、アプリケーション、地理に基づいて分割されています。タイプに基づいて、市場はディスクリート IGBT と IGBT モジュールに分類されます。 IGBT モジュールセグメントは収益貢献の点で世界市場を支配しており、高電圧での効率の向上と制御の容易さにより、予測期間を通じてこの傾向が維持されると予想されます。
電力定格に基づくと、高電圧セグメントは収益貢献の点で世界市場を支配しており、予測期間を通じてこの傾向を維持すると予想されます。しかし、ディスクリート IGBT セグメントは、IGBT を低電流アプリケーションに利用する民生用電子アプリケーションの需要が増加しているため、急速な成長が見込まれています。
さまざまなアプリケーションに基づいて、電気自動車、産業システム、インバーターと UPS は業界で最も収益性の高いアプリケーション分野です。他のセグメントに比べて急速な成長が見込まれています。世界の IGBT 市場は、地理的地域に基づいて北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、LAMEA に分割されています。アジア太平洋地域は、送電の改善と再生可能エネルギーの利用により、世界市場で最大のシェアを占めました。
競合分析
主要な市場プレーヤー(ABB グループ、STMicroelectronics N.V.、東芝株式会社、IXYS Corporation、ルネサス エレクトロニクス株式会社)の包括的な競合分析とプロファイルこのレポートでは、Semikron International GmbH、三菱電機株式会社、Infineon Technologies AG、富士電機株式会社、NXP Semiconductors N.V.の企業が提供しています。現在、IGBT市場は、製品の発売や買収などの成長戦略によって牽引されています。インフィニオン テクノロジー AG や三菱電機などの企業は、顧客ベースを拡大し、市場シェアを拡大するために新しい IGBT モジュールを発売しました。
# {109}電気自動車における IGBT の応用の増加
車両からの排出ガスと非再生可能エネルギー資源の枯渇に関する懸念の高まりにより、政府機関はバッテリー電気自動車(BEV)やハイブリッド電気自動車(HEV)などの電気自動車のインフラ改善への投資を余儀なくされています。 & プラグインハイブリッド電気自動車 (PHEV) および電気自動車供給装置 (EVSE)。 IGBT は、電気自動車において高電圧で車両を制御し、効率を高めるために重要な役割を果たします。現在、この地域の厳しい排ガス規制により、米国は電気自動車の最大の消費者基盤を持っています。 2015 年の時点で、米国には約 400,000 台の電気自動車が在庫されています
HVDC とスマート グリッドを確立する政府の取り組み
古いグリッド ネットワークは置き換えられましたスマート グリッドは信頼性が高く、柔軟なネットワーク トポロジを提供し、負荷調整能力が向上し、リアルタイムのトラブルシューティングが可能になるためです。 IGBT は、高効率でより高い周波数を可能にするため、高電圧での制御を容易にするために使用されます。さらに、これは、大きなバイポーラ電流搬送能力や高い入力インピーダンスなど、いくつかの利点を備えた少数キャリアデバイスです。そのため、スマート グリッドで使用されています。
側面 | 細節 |
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Key Market Players | Semikron International GmbH, Mitsubishi Electric Corp., NXP Semiconductors N.V, Renesas Electronics Corp., Infineon Technologies AG, IXYS Corporation, Fuji Electric Co. Ltd., ABB Group, Toshiba Corporation, STMicroelectronics N.V. |